SIMOX相关论文
高温压力传感器是指其工作温度高于125℃的压力传感器。高温压力传感器以其优良的高温工作能力在压力传感器中一直受到高度重视，是......
采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路......
利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入......
研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表......
y layer in Si was investigated by cross section transmission electron microscopy and auger electron spectroscopy....
SiGe-on-Insulator (SGOI) is an ideal substrate material for realizing strained-silicon structures that are very competin......
期刊
SOI技术作为21世纪的硅集成技术，越来越受到人们的关注。文章从寄生电容、闭锁效应、热载流子效应、体效应及辐射效应等几个方面详......
利用SIMOX材料制作智能卡是一种新的技术。简要介绍了一种智能卡的发展及应用，并描述了利用SOI（SIMOX）技术制作的一种新型智能卡芯片，......
对国内外几种SIMOX硅薄膜样品进行位错密度测量,再用紫外光致荧光法(UVF)对其在集成电路工艺流片前后的Fe、Cu、Ni、Mo等重离子沾......
选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS......
研究了以10keY X射线为辐照源对注氧隔离（SIMOX）SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keY X射线对埋氧层加固样品与未......
SOI技术作为21世纪的硅集成技术正在日益受到人们的青睐。从SOI技术的发展过程、制备工艺、开发应用及市场预测几个方面评述了SOI......
设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET．该器件具有良好的直流和射频特性：输出曲线平滑，没有明显翘曲（kink）效应；静......
为了解决如高温200C等恶劣环境下的压力测量问题，基于微机电系统（MEMS）和高能氧离子注入（SIMOX）技术，研制了一种量程为0～120kPa的坻阻式压......
用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺......
本文用辐射加固和未加固的SIMOX（注氧隔离）SOI（绝缘体上硅）材料制作了Pseudo—MOS晶体管和nMOS晶体管，并进行了X射线总剂量辐射实验。结......
采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力，通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs......
利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备．在二氧化硅掩膜尺寸为172......
期刊
针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器敏感芯片,采用SIMOX技术的SOI晶片,在微加工平台上通过低......
SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0．8μmSOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射......
在SIMOX工艺制作过程中，氧离子注入的均匀性对SOI材料表面硅厚度的均匀性和SiO2埋层厚度的均匀性起着直接的决定性的作用。文章介绍......
介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段，并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数，分析材料制备工艺对性能产生的影响。......
提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法，并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层......
SOI(Silicon On Insulator)是指绝缘材料上的硅,它能突破体硅及其集成电路的限制,在超大规模集成电路、光电子等领域有着广阔的应......
通过增加一次高压注入,对0.8μm SOI CMOS工艺平台进行智能电压扩展.在SIMOX材料上设计并实现了兼容该工艺的横向高压器件,实现了......
采用抗辐射0.8μm SOI CMOS加固技术,研制了抗辐射SOI CMOS器件和电路。利用Co60γ射线源对器件和电路的总剂量辐射效应进行了研究......
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI（绝缘体上硅）两类不同材料片SIMOX（注氧隔离法）SOI和Bonded Smart-Cut（智能剥离法）SOI的......
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX......
近年来，SOI技术已经发展成为制造ULSI集成电路的主流技术之一。但是，SOI器件存在着浮体效应和自热效应。另外，为了获得功能更强大、价......
SOI材料以及SOI器件及有良好的抗单粒子效应和瞬间辐射的能力，但绝缘埋层的存在使得其抗总剂量能力受到限制。在埋层中注入硅离子被......
由于SOI材料中绝缘埋层（BOX）的存在，SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题，为提高常规SIMOX SOI材料的抗总剂量水平，本论......
以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon-on-insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反......
针对石油化工等领域高温下压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅芯片,采用SIMOX 技术SOI晶片,在微加工平台上制作了硅芯片.对......
<正>1.前言2006年随着65纳米工艺的成熟,英特尔公司65纳米生产线步入大批量生产阶段。除英特尔外,美国德州仪器、韩国三星、日本东......
利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光......
SOI (Silicon On Insulator)即绝缘体上的硅,是一种新型的硅基材料。用SOI材料制作的器件与电路相对于传统的体硅器件及电路而言,......
近年来，SOI技术由于其独特的优越性，被广泛应用于空间及军事抗辐射领域。但SOI中绝缘埋层(BOX)的存在，使SOI材料抗总剂量辐照效应的能......
学位
SOI（Silicon On Insulator）是指绝缘材料上的硅。同体硅相比，它具有以下优点：降低功耗：最高可达80％；提高集成密度：～50％；减少工艺步骤：～30％；低驱动......
学位
传感器技术是现代科学技术发展水平的重要标志，它与通信技术、计算机技术构成现代信息产业的三大支柱。在各种传感器中，硅压力传感器......
注氧隔离法 (SIMOX)和体硅智能剥离法 (smart cut)是目前制备绝缘体上的硅 (SOI)材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要......
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性......
